RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
51
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
51
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2286
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link