RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2436
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link