RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2913
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Jinyu 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link