RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
45
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
3.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
44
45
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
5.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
3.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
1226
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link