RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3317
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link