RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2831
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link