RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
71
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
1863
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link