RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2060
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link