RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
53
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
53
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2366
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link