RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
56
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
56
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2235
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link