RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
47
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2569
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link