RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
72
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
72
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
1731
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link