RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2676
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link