RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3825
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link