RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3227
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link