RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3531
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link