RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3665
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link