RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2124
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link