RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3098
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link