RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Wynik ogólny
Teclast TLD416G26A30 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
55
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2424
2719
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link