RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3649
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link