RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2786
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link