RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3429
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link