RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3412
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link