RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3549
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link