RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3088
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link