RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3628
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905403-181.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link