RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3563
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link