RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3497
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link