RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3278
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link