RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2732
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link