RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2426
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link