RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3011
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link