RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2945
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link