RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
4382
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link