RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3199
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link