RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3429
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link