RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3564
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link