RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3757
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link