RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
33
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
17
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3847
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link