RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
4029
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link