RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3653
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link