RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
1617
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link