RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2346
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link