RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
41
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3073
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link