RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2800
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link