RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
1997
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link