RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
10600
Wokół strony 1.65 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
52
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17500
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2319
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link