RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2589
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link