RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2451
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link